Il MIT sperimenta i transistor di domani

Secondo i ricercatori del MIT è possibile produrre chip basandosi su materiali diversi dal silicio, superando dunque i limiti fisici imposti dal materiale. Nei laboratori del Massachusetts Institute of Technology è stato realizzato un prototipo di transistor che sfrutta arseniuro di indio-gallio e che potrebbe diventare la base dei futuri processori.
L’attuale modello MOSFET misura 22 nm ed è stato composto tramite complessi procedimenti di allineamento tra il gate e gli elettrodi. Il composto monocristallino che compone il sottile strato di materiale è stato ottenuto sfruttando un processo di evaporazione dei materiale di base (indio, gallio e arsenico), tramite la tecnica dell’epitassia da fasci molecolari.
Dopo aver depositato una sezione di molibdeno sulla base e il collettore è stato generato un modello sul substrato, tramite un fascio di elettroni. A seguire è stato asportato il materiale in eccesso è stato applicato uno strato isolante, il cosiddetto ossido di gate. La successiva evaporazione del molibdeno precedentemente depositato permette la formazione del gate tra i due elettrodi.
Al momento, la ricerca è nella fase di sperimentazione e ottimizzazione. Si cerca infatti di migliorare le prestazioni elettriche del transistor e, solo successivamente sarà possibile tentare una ulteriore miniaturizzazione scendendo al di sotto dei 10 nm nel processo produttivo.

Se questo articolo ti è piaciuto e vuoi rimanere sempre informato con le notizie di BitCity.it iscriviti alla nostra Newsletter gratuita.