Chip a 40 nanometri da TSMC

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, meglio nota come TSMC, ha presentato il suo processo produttivo a 40 nanometri per la realizzazione di chip di DRAM e componenti più complessi. Questo processo produttivo permette di ottenere chip con una densità  di gate 2,35 volte maggiore rispetto ai processi a 65 nanometri e permette id scalare del 15% le dimensioni dei precedenti componenti costruiti con il processo a 45 nanometri. Il processo produttivo supporta due tecnologie siglate 40G e 40LP per i bassi consumi. In pratica la prima tecnologia sarà  utile per componenti come CPU e GPU, e, in generale, per device ad alte prestazioni, mentre la seconda potrà  essere utilizzata per realizzare componenti per device portatili e sezioni wireless. Con questo processo produttivo, una cella di memoria SRAM misura 0,242 µm2. I primi wafer da 12" sono attesi per il secondo trimestre 2008 e usciranno dalla Fab 12 di TSMC, mentre con l'aumentare delle richieste, la produzione sarà  trasferita alla Fab 14.
 

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